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SQSA80ENW-T1_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8

非準拠

SQSA80ENW-T1_GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.43296 -
6,000 $0.41263 -
15,000 $0.39811 -
0 items
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 80 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 18A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 21mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 21 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1358 pF @ 40 V
FET機能 -
消費電力(最大) 62.5W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8
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