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SUD50N02-09P-E3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V TO252

非準拠

SUD50N02-09P-E3 価格と注文

単価 外貨価格
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 20A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 9.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 16 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1300 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 6.5W (Ta), 39.5W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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