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VQ1006P-E3

VQ1006P-E3

VQ1006P-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP

非準拠

VQ1006P-E3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ 4 N-Channel
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 90V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 400mA
rds オン (最大) @ id、vgs 4.5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
入力容量(ciss)(最大)@vds 60pF @ 25V
パワー - 最大 2W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
パッケージ/ケース -
サプライヤーデバイスパッケージ 14-DIP
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