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IRF521

IRF521

IRF521

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF521 データシート

compliant

IRF521 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.57000 $0.57
500 $0.5643 $282.15
1000 $0.5586 $558.6
1500 $0.5529 $829.35
2000 $0.5472 $1094.4
2500 $0.5415 $1353.75
26458 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 80 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 9.2A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 270mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 350 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 60W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

UF3C170400K3S
UF3C170400K3S
$0 $/ピース
HUFA75433S3ST
DMN3009SFG-7
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$0 $/ピース
3400L
3400L
$0 $/ピース
NTH4L067N65S3H
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$0 $/ピース
TPN1200APL,L1Q
SQJ138EP-T1_GE3
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$0 $/ピース
IRF730
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$0 $/ピース
SQW33N65EF-GE3
SQW33N65EF-GE3
$0 $/ピース
SIHU2N80AE-GE3
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$0 $/ピース

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