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IRF723

IRF723

IRF723

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF723 データシート

非準拠

IRF723 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.72000 $0.72
500 $0.7128 $356.4
1000 $0.7056 $705.6
1500 $0.6984 $1047.6
2000 $0.6912 $1382.4
2500 $0.684 $1710
79897 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 350 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2.8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.5Ohm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 360 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 50W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

UPA1560H(3)-AZ
BUK752R3-40E,127
DMP2006UFGQ-13
DMP2006UFGQ-13
$0 $/ピース
RJK4006DPD-00#J2
DMT10H9M9SK3-13
FCP9N60N-F102
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$0 $/ピース
SCTH60N120G2-7
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$0 $/ピース
IRF9520
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$0 $/ピース
DMN10H099SFG-13
NVTFWS030N06CTAG
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$0 $/ピース

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