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IRFF213

IRFF213

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Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRFF213 データシート

非準拠

IRFF213 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 150 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.4Ohm @ 1.25A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 7.5 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 135 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 15W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-205AF (TO-39)
パッケージ/ケース TO-205AF Metal Can
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関連部品番号

TPCC8065-H,LQ(S
IRLZ24L
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$0 $/ピース
SUD50N02-09P-E3
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