ichome.comへようこそ!

logo

RF1S22N10SM

RF1S22N10SM

RF1S22N10SM

Harris Corporation

N-CHANNEL POWER MOSFET

非準拠

RF1S22N10SM 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.73000 $0.73
500 $0.7227 $361.35
1000 $0.7154 $715.4
1500 $0.7081 $1062.15
2000 $0.7008 $1401.6
2500 $0.6935 $1733.75
3853 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 22A
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs -
vgs(th) (最大) @ id -
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) -
入力容量(ciss)(最大)@vds -
FET機能 -
消費電力(最大) -
動作温度 -
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263AB
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

IPB020N04NGATMA1
BUK9M43-100EX
BUK9M43-100EX
$0 $/ピース
PJW5N06A_R2_00001
IPW65R310CFD
IPW65R310CFD
$0 $/ピース
SIRA18BDP-T1-GE3
SIRA18BDP-T1-GE3
$0 $/ピース
STP4N150
STP4N150
$0 $/ピース
FDMT800100DC
FDMT800100DC
$0 $/ピース
P3M12040K3
2N7008-G
2N7008-G
$0 $/ピース
FDS2170N7
FDS2170N7
$0 $/ピース

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。