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DMT31M7LSS-13

DMT31M7LSS-13

DMT31M7LSS-13

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2

非準拠

DMT31M7LSS-13 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.50296 $0.50296
500 $0.4979304 $248.9652
1000 $0.4929008 $492.9008
1500 $0.4878712 $731.8068
2000 $0.4828416 $965.6832
2500 $0.477812 $1194.53
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 25A (Ta), 78A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 84 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 5492 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.7W (Ta), 5.9W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SO
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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関連部品番号

PJW4N06A_R2_00001
SI7106DN-T1-GE3
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$0 $/ピース
SI4134DY-T1-E3
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$0 $/ピース
SIDR170DP-T1-RE3
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$0 $/ピース
IPP050N10NF2SAKMA1
NVGS4111PT1G
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$0 $/ピース
RCJ050N25TL
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FCPF9N60NTYDTU
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IPI65R190C
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STF11NM60ND
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$0 $/ピース

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