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DMT69M5LCG-13

DMT69M5LCG-13

DMT69M5LCG-13

Diodes Incorporated

MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333

compliant

DMT69M5LCG-13 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.29970 $0.2997
500 $0.296703 $148.3515
1000 $0.293706 $293.706
1500 $0.290709 $436.0635
2000 $0.287712 $575.424
2500 $0.284715 $711.7875
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 14.6A (Ta), 52.1A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 8.3mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 28.4 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1406 pF @ 30 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.37W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ V-DFN3333-8 (Type B)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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関連部品番号

DMP1011LFVQ-7
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