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G110N06K

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N60V,RD(MAX)<6.4M@10V,RD(MAX)<8.

G110N06K データシート

compliant

G110N06K 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.52000 $1.52
500 $1.5048 $752.4
1000 $1.4896 $1489.6
1500 $1.4744 $2211.6
2000 $1.4592 $2918.4
2500 $1.444 $3610
4259 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 110A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 6.4mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 113 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 5538 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 160W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

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C3M0120065K
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ZXMP4A16GQTA
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$0 $/ピース
AOTF7N60
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SIR512DP-T1-RE3
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PXP011-20QXJ
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