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G26P04D5

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P40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<22

G26P04D5 データシート

compliant

G26P04D5 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.53000 $0.53
500 $0.5247 $262.35
1000 $0.5194 $519.4
1500 $0.5141 $771.15
2000 $0.5088 $1017.6
2500 $0.5035 $1258.75
1 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 26A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 18mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2479 pF @ 20 V
FET機能 -
消費電力(最大) 50W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-DFN (4.9x5.75)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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関連部品番号

IPI70N12S311AKSA1
DMP2043UCA3-7
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$0 $/ピース
DMN2004WKQ-7
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$0 $/ピース
1002
1002
$0 $/ピース
DMN6066SSSQ-13
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$0 $/ピース
STU6N65M2-S
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$0 $/ピース
RFH30N12
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$0 $/ピース
NTMFS4C10NAT1G
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$0 $/ピース
NVMFWS3D6N10MCLT1G
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$0 $/ピース
ISC0603NLSATMA1

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