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G50N03D5

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N30V,RD(MAX)<4.5M@10V,RD(MAX)<8M

G50N03D5 データシート

compliant

G50N03D5 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.66000 $0.66
500 $0.6534 $326.7
1000 $0.6468 $646.8
1500 $0.6402 $960.3
2000 $0.6336 $1267.2
2500 $0.627 $1567.5
5000 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 50A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 4.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 38.4 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1784 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 20W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-DFN (4.9x5.75)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
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関連部品番号

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