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IPB180N03S4L01ATMA1

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MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7

SOT-23

非準拠

IPB180N03S4L01ATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
1,000 $1.37090 -
30438 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 180A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.05mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.2V @ 140µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 239 nC @ 10 V
vgs (最大) ±16V
入力容量(ciss)(最大)@vds 17600 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 188W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO263-7-3
パッケージ/ケース TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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