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IXTN30N100L

IXTN30N100L

IXTN30N100L

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 30A SOT227B

compliant

IXTN30N100L 価格と注文

単価 外貨価格
1 $54.43000 $54.43
10 $50.89700 $508.97
25 $47.07200 $1176.8
100 $44.13000 $4413
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 1000 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 30A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 20V
rds オン (最大) @ id、vgs 450mOhm @ 15A, 20V
vgs(th) (最大) @ id 5.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 545 nC @ 20 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 13700 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 800W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-227B
パッケージ/ケース SOT-227-4, miniBLOC
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関連部品番号

IXFA5N100P
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NVMFS5C410NWFAFT1G
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UJ4C075060B7S
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FDPF5N50T
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SQA403EJ-T1_GE3
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APT34F60B
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2N7002EQ-13-F
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DMTH6010SK3-13
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