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IXTY1R6N50D2

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IXYS

MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252

非準拠

IXTY1R6N50D2 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.29000 $2.29
70 $1.85000 $129.5
140 $1.66500 $233.1
560 $1.29500 $725.2
1,050 $1.07300 -
2,520 $1.03600 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 500 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.6A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs 2.3Ohm @ 800mA, 0V
vgs(th) (最大) @ id -
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 23.7 nC @ 5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 645 pF @ 25 V
FET機能 Depletion Mode
消費電力(最大) 100W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

SIHB24N65E-GE3
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RRH140P03GZETB
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2SK3019TL
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SISH615ADN-T1-GE3
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IRFR120TRRPBF-BE3
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