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LND01K1-G

LND01K1-G

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MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5

SOT-23

LND01K1-G データシート

非準拠

LND01K1-G 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.33166 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 9 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 330mA (Tj)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 0V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.4Ohm @ 100mA, 0V
vgs(th) (最大) @ id -
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) +0.6V, -12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 46 pF @ 5 V
FET機能 Depletion Mode
消費電力(最大) 360mW (Ta)
動作温度 -25°C ~ 125°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-23-5
パッケージ/ケース SC-74A, SOT-753
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