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APTM10DHM09T3G

APTM10DHM09T3G

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MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

非準拠

APTM10DHM09T3G 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET機能 Standard
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 139A
rds オン (最大) @ id、vgs 10mOhm @ 69.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 2.5mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 350nC @ 10V
入力容量(ciss)(最大)@vds 9875pF @ 25V
パワー - 最大 390W
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース SP3
サプライヤーデバイスパッケージ SP3
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