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FDN86501LZ

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 2.6A SUPERSOT3

compliant

FDN86501LZ 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.67960 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2.6A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 116mOhm @ 2.6A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 5.4 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 335 pF @ 30 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.5W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-23-3
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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関連部品番号

FCP190N60-GF102
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FDB0165N807L
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DMN62D0UWQ-7
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EPC2045
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SI4408DY-T1-GE3
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IXTH11P50
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SIHG080N60E-GE3
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R6507KNXC7G
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SIHB33N60EF-GE3
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