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NTD18N06LT4G

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

非準拠

NTD18N06LT4G 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.37834 -
5,000 $0.35224 -
12,500 $0.33920 -
25,000 $0.33208 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 18A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 5V
rds オン (最大) @ id、vgs 65mOhm @ 9A, 5V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 22 nC @ 5 V
vgs (最大) ±15V
入力容量(ciss)(最大)@vds 675 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.1W (Ta), 55W (Tj)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ DPAK
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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