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RM2N650LD

RM2N650LD

RM2N650LD

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 650V 2A TO252-2

RM2N650LD データシート

compliant

RM2N650LD 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.30000 $0.3
500 $0.297 $148.5
1000 $0.294 $294
1500 $0.291 $436.5
2000 $0.288 $576
2500 $0.285 $712.5
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 190 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 23W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252-2
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

PJD9P06A_L2_00001
IRFB9N65APBF
IRFB9N65APBF
$0 $/ピース
STP31N65M5
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$0 $/ピース
STD6N60DM2
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$0 $/ピース
FDD5680
FDD5680
$0 $/ピース
STL140N6F7
STL140N6F7
$0 $/ピース
NVMJS0D9N04CLTWG
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$0 $/ピース
STW26NM50
STW26NM50
$0 $/ピース
BUK7Y13-40B,115
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$0 $/ピース

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