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STB6N80K5

STB6N80K5

STB6N80K5

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 800V 4.5A D2PAK

STB6N80K5 データシート

compliant

STB6N80K5 価格と注文

単価 外貨価格
1,000 $1.05315 -
2,000 $0.98825 -
5,000 $0.95580 -
10,000 $0.93810 -
50 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4.5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.6Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 100µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 7.5 nC @ 10 V
vgs (最大) 30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 255 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 85W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

APTM100UM65SAG
PJQ4460AP_R2_00001
IRF6715MTRPBF
NTMSD3P102R2SG
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$0 $/ピース
IRFTS9342TRPBF
TPH1R306PL1,LQ
PJW7N04_R2_00001
NTD14N03RT4G
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$0 $/ピース
DMT6016LFDF-7
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$0 $/ピース
BUZ32H3045A
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$0 $/ピース

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