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STU6N60M2

STU6N60M2

STU6N60M2

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 600V 4.5A IPAK

STU6N60M2 データシート

compliant

STU6N60M2 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.53000 $1.53
75 $1.24267 $93.20025
150 $1.09633 $164.4495
525 $0.86642 $454.8705
1,050 $0.69920 -
2,550 $0.65740 -
5,025 $0.62814 -
3634 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4.5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 13.5 nC @ 10 V
vgs (最大) ±25V
入力容量(ciss)(最大)@vds 232 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 60W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-251 (IPAK)
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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関連部品番号

SQJQ404E-T1_GE3
SQJQ404E-T1_GE3
$0 $/ピース
SI2323DDS-T1-BE3
SI2323DDS-T1-BE3
$0 $/ピース
PSMN4R3-30PL,127
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$0 $/ピース
IPI180N10N3GXKSA1
NTHL027N65S3HF
NTHL027N65S3HF
$0 $/ピース
RM35P30LD
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$0 $/ピース
DMP21D0UT-7
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$0 $/ピース
IXTT68P20T
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$0 $/ピース
SIRA20BDP-T1-GE3
SIRA20BDP-T1-GE3
$0 $/ピース
FQPF18N50V2SDTU

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