ichome.comへようこそ!

logo

STW11NM80

STW11NM80

STW11NM80

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3

STW11NM80 データシート

非準拠

STW11NM80 価格と注文

単価 外貨価格
1 $7.41000 $7.41
30 $6.16133 $184.8399
120 $5.60700 $672.84
510 $4.77541 $2435.4591
1,020 $4.22100 -
2,520 $4.08240 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 11A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 400mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 43.6 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1630 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 150W (Tc)
動作温度 -65°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-247-3
パッケージ/ケース TO-247-3
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

IPB65R380C6
IPB65R380C6
$0 $/ピース
IPS105N03LGAKMA1
BSP170PH6327XTSA1
IRFIZ48GPBF
IRFIZ48GPBF
$0 $/ピース
C2M0045170D
C2M0045170D
$0 $/ピース
HUF76009P3
HUF76009P3
$0 $/ピース
IRL2910STRRPBF
FQPF7P20
FQPF7P20
$0 $/ピース
PSMN6R0-30YLB,115

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。