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| 名前 | 価値 |
|---|---|
| 製品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 100 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 1A (Ta) |
| 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン） | 4V, 5V |
| rds オン (最大) @ id、vgs | 540mOhm @ 600mA, 5V |
| vgs(th) (最大) @ id | 2V @ 250µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 6.1 nC @ 5 V |
| vgs (最大) | ±10V |
| 入力容量（ciss）（最大）@vds | 250 pF @ 25 V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1.3W (Ta) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取り付けタイプ | Through Hole |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 4-HVMDIP |
| パッケージ/ケース | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
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