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SI4477DY-T1-GE3

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SI4477DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO

compliant

SI4477DY-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.68880 -
5,000 $0.65646 -
12,500 $0.63336 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 26.6A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 2.5V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 6.2mOhm @ 18A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 190 nC @ 10 V
vgs (最大) ±12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 4600 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3W (Ta), 6.6W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOIC
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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関連部品番号

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