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SI4483ADY-T1-GE3

SI4483ADY-T1-GE3

SI4483ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 19.2A 8SO

SOT-23

非準拠

SI4483ADY-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.57400 -
5,000 $0.54705 -
12,500 $0.52780 -
24820 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 19.2A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 8.8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.6V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 135 nC @ 10 V
vgs (最大) ±25V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3900 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.9W (Ta), 5.9W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOIC
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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