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SI7852DP-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8

compliant

SI7852DP-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $1.65678 -
6,000 $1.59848 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 80 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 7.6A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 6V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 16.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 250µA (Min)
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 41 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
FET機能 -
消費電力(最大) 1.9W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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