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SIDR578EP-T1-RE3

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Vishay Siliconix

N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE

compliant

SIDR578EP-T1-RE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.09000 $3.09
500 $3.0591 $1529.55
1000 $3.0282 $3028.2
1500 $2.9973 $4495.95
2000 $2.9664 $5932.8
2500 $2.9355 $7338.75
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 150 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 17.4A (Ta), 78A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 7.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 8.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 49 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2540 pF @ 75 V
FET機能 -
消費電力(最大) 7.5W (Ta), 150W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8DC
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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関連部品番号

SIAA02DJ-T1-GE3
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RQ5E035ATTCL
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STB18N60M2
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DMT8012LK3-13
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IRFP4127PBF
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IRF3205LPBF
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RSJ400N10TL
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