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SI8816EDB-T2-E1

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT

compliant

SI8816EDB-T2-E1 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.15791 -
6,000 $0.14834 -
15,000 $0.13877 -
30,000 $0.12728 -
75,000 $0.12250 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.5A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 2.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 109mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 1.4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 8 nC @ 10 V
vgs (最大) ±12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 195 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 500mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 4-Microfoot
パッケージ/ケース 4-XFBGA
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関連部品番号

SIHA18N60E-GE3
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FDPF14N30
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SQD10950E_GE3
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$0 $/ピース
FDI150N10
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$0 $/ピース
UF3C065040B3
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$0 $/ピース
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5HN01M-TL-H
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