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SQD10950E_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 250V 11.5A TO252AA

非準拠

SQD10950E_GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.52000 $1.52
500 $1.5048 $752.4
1000 $1.4896 $1489.6
1500 $1.4744 $2211.6
2000 $1.4592 $2918.4
2500 $1.444 $3610
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 250 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 11.5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 7.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 162mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 16 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 785 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 62W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

FDI150N10
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5HN01M-TL-H
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STY112N65M5
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