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SIDR626LEP-T1-RE3

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Vishay Siliconix

N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET

非準拠

SIDR626LEP-T1-RE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.56000 $3.56
500 $3.5244 $1762.2
1000 $3.4888 $3488.8
1500 $3.4532 $5179.8
2000 $3.4176 $6835.2
2500 $3.382 $8455
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 48.7A (Ta), 218A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 135 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 5900 pF @ 30 V
FET機能 -
消費電力(最大) 7.5W (Ta), 150W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8DC
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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関連部品番号

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