ichome.comへようこそ!

logo

SIHF35N60EF-GE3

SIHF35N60EF-GE3

SIHF35N60EF-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 32A TO220

compliant

SIHF35N60EF-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $7.21000 $7.21
10 $6.46100 $64.61
100 $5.33880 $533.88
500 $4.36624 $2183.12
1,000 $3.71788 -
2,500 $3.54332 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 32A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 97mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 134 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2568 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 39W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220 Full Pack
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

FDB075N15A
FDB075N15A
$0 $/ピース
RQ6C050BCTCR
RQ6C050BCTCR
$0 $/ピース
BSC110N06NS3GATMA1
FDA24N50F
FDA24N50F
$0 $/ピース
SIHG24N80AE-GE3
SIHG24N80AE-GE3
$0 $/ピース
SIJH600E-T1-GE3
SIJH600E-T1-GE3
$0 $/ピース
PSMN005-30K,518
PSMN005-30K,518
$0 $/ピース
SQS423EN-T1_BE3
SQS423EN-T1_BE3
$0 $/ピース
SIR418DP-T1-GE3
SIR418DP-T1-GE3
$0 $/ピース
CPH3430-TL-E
CPH3430-TL-E
$0 $/ピース

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。