ichome.comへようこそ!

logo

SISS08DN-T1-GE3

SISS08DN-T1-GE3

SISS08DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 25V 53.9/195.5A PPAK

compliant

SISS08DN-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.54120 -
6,000 $0.51579 -
15,000 $0.49764 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 25 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 53.9A (Ta), 195.5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.23mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 82 nC @ 10 V
vgs (最大) +20V, -16V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3670 pF @ 12.5 V
FET機能 -
消費電力(最大) 5W (Ta), 65.7W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8S
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8S
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

IRFS3206TRRPBF
N0439N-S19-AY
FDME0106NZT
SQD40030E_GE3
SQD40030E_GE3
$0 $/ピース
APT10050JVFR
APT10050JVFR
$0 $/ピース
2SJ325-AZ
AON6250
DMN1019UVT-13
DMN1019UVT-13
$0 $/ピース
DMTH10H025SK3-13
PJD8NA65A_L2_00001

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。