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SISS30ADN-T1-GE3

SISS30ADN-T1-GE3

SISS30ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK

非準拠

SISS30ADN-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.40000 $1.4
500 $1.386 $693
1000 $1.372 $1372
1500 $1.358 $2037
2000 $1.344 $2688
2500 $1.33 $3325
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 80 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 15.9A (Ta), 54.7A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 7.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 8.9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1295 pF @ 40 V
FET機能 -
消費電力(最大) 4.8W (Ta), 57W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 1212-8S
パッケージ/ケース PowerPAK® 1212-8S
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関連部品番号

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NTD20N06T4G
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