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SQJ416EP-T1_BE3

SQJ416EP-T1_BE3

SQJ416EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE

compliant

SQJ416EP-T1_BE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.03000 $1.03
500 $1.0197 $509.85
1000 $1.0094 $1009.4
1500 $0.9991 $1498.65
2000 $0.9888 $1977.6
2500 $0.9785 $2446.25
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 27A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 30mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 800 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 45W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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関連部品番号

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SIHD7N60ET4-GE3
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