ichome.comへようこそ!

logo

SQJ488EP-T1_GE3

SQJ488EP-T1_GE3

SQJ488EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8

compliant

SQJ488EP-T1_GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.76096 -
6,000 $0.72523 -
15,000 $0.69971 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 42A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 21mOhm @ 7.4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 27 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 979 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 83W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

DMN601TK-7
DMN601TK-7
$0 $/ピース
AO6409A
IXFH50N30Q3
IXFH50N30Q3
$0 $/ピース
STW6N90K5
STW6N90K5
$0 $/ピース
IRFR3710ZTRLPBF
IPP230N06L3GXKSA1
FDN86501LZ
FDN86501LZ
$0 $/ピース
FCP190N60-GF102
FCP190N60-GF102
$0 $/ピース
FDB0165N807L
FDB0165N807L
$0 $/ピース
DMN62D0UWQ-7
DMN62D0UWQ-7
$0 $/ピース

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。