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G1006LE

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N100V,RD(MAX)<150M@10V,RD(MAX)<1

G1006LE データシート

compliant

G1006LE 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.51000 $0.51
500 $0.5049 $252.45
1000 $0.4998 $499.8
1500 $0.4947 $742.05
2000 $0.4896 $979.2
2500 $0.4845 $1211.25
2988 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 150mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 18.2 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 622 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.5W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-23-3
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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関連部品番号

DMT69M5LCG-13
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$0 $/ピース
DMP1011LFVQ-7
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$0 $/ピース
NP82N10PUF-E1-AY
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$0 $/ピース
IPB35N12S3L26ATMA1
G06N06S
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$0 $/ピース
RJJ0621DPP-00#T2
DMN10H170SFGQ-7
STY30N50E
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$0 $/ピース
IPA600N25NM3SXKSA1

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