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IPB032N10N5ATMA1

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MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7

非準拠

IPB032N10N5ATMA1 価格と注文

単価 外貨価格
1,000 $3.18888 -
2,000 $3.02944 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 166A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 6V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3.2mOhm @ 83A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.8V @ 125µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 95 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 6970 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 187W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO263-7
パッケージ/ケース TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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関連部品番号

STB6N80K5
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PJQ4460AP_R2_00001
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NTMSD3P102R2SG
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NTD14N03RT4G
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